第一篇：半导体问答
影响工厂成本的主要因素有哪些？
答：Direct Material 直接材料,例如:蕊片
Indirect Material间接材料,例如气体… Labor人力
Fixed Manufacturing机器折旧,维修,研究费用……等
Production Support其它相关单位所花费的费用
在FAB内，间接物料指哪些？
答：Gas 气体 Chemical 酸,碱化学液 PHOTO Chemical 光阻,显影液 Slurry 研磨液 Target 靶材 Quartz 石英材料 Pad & Disk 研磨垫 Container 晶舟盒(用来放蕊片)Control Wafer 控片 Test Wafer测试,实验用的蕊片
什幺是变动成本(Variable Cost)?
答：成本随生产量之增减而增减.例如:直接材料,间接材料
什幺是固定成本(Fixed Cost)? 答：此种成本与产量无关,而与每一期间保持一固定数额.例如:设备租金,房屋折旧及檵器折旧
Yield(良率)会影响成本吗?如何影响?
答：Fab yield= 若无报废产生,投入完全等于产出,则成本耗费最小
CP Yield:CP Yield 指测试一片芯片上所得到的有效的IC数目。当产出芯片上的有效IC数目越多,即表示用相同制造时间所得到的效益愈大.生产周期(Cycle Time)对成本(Cost)的影响是什幺?
答：生产周期愈短,则工厂制造成本愈低。正面效益如下:(1)积存在生产线上的在制品愈少(2)生产材料积存愈少(3)节省管理成本(4)产品交期短,赢得客户信赖,建立公司信誉
FAC
根据工艺需求排气分几个系统? 答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。
高架地板分有孔和无孔作用?
答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度;防静电；便于HOOK-UP。
离子发射系统作用
答：离子发射系统，防止静电
SMIC洁净等级区域划分
答：Mask Shop class 1 & 100
Fab1 & Fab2 Photo and process area: Class 100
Cu-line Al-Line OS1 L3 OS1 L4 testing Class 1000 什幺是制程工艺真空系统(PV)
答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80 kpa)和流量，每天24小时运行
什幺是MAU(Make Up Air Unit),新风空调机组作用
答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净室正压和湿度要求。
House Vacuum System 作用
答：HV(House Vacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。
Filter Fan Unit System(FFU)作用
答：FFU系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由Fan和Filter(ULPA)组成。
什幺是Clean Room 洁净室系统
答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。
Clean room spec:标准
答：Temperature 23 °C ± 1°C(Photo:23 °C ± 0.5°C)Humidity 45%± 5%(Photo:45%± 3%)
Class 100
Overpressure +15pa
Air velocity 0.4m/s ± 0.08m/s
Fab 内的safety shower的日常维护及使用监督由谁来负责
答：Fab 内的 Area Owner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）
工程师在正常跑货用纯水做rinse或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：
答：酸会导致conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致TOC升高。两者均会影响并降低纯水回收率。
若在Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报
答：先检查是否为机台漏水或做PM所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）
机台若因做PM或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报
答：通知厂务主系统水课的值班（19105）
废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?
答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)
若机台内的drain管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题? 答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超标排放的事故。
公司做水回收的意义如何?
答：(1)节约用水，降低成本。重在环保。(2)符合ISO可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。
何种气体归类为特气(Specialty Gas)? 答：SiH2Cl2
何种气体由VMB Stick点供到机台? 答：H2
何种气体有自燃性? 答：SiH4
何种气体具有腐蚀性? 答：ClF3
当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器? 答：PH3
名词解释 GC, VMB, VMP
答：GC-Gas Cabinet 气瓶柜VMB-Valve Manifold Box 阀箱，适用于危险性气体。VMP-Valve Manifold Panel 阀件盘面，适用于惰性气体。
标准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？
答：21%
19%
什幺是气体的 LEL? H2的LEL 为多少？
答：LEL-Low Explosive Level 气体爆炸下限H2 LEL-4%.当FAB内气体发生泄漏二级警报（既Leak HiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？
答：LAU红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从ERC广播命令，立刻疏散。
化学供应系统中的化学物质特性为何?
答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2)Solvent有机溶剂(3)Slurry研磨液
有机溶剂柜的安用保护装置为何?
答：(1)Gas/Temp.detector;气体/温度侦测器(2)CO2 extinguisher;二氧化碳灭火器
中芯有那几类研磨液(slurry)系统?
答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭
设备机台总电源是几伏特? 答：208V OR 380V
欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗? 答：不可以
如何选用电器器材?
答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌
机台开关可以任意分/合吗?
答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗? 答：对
假设断路器启断容量为16安培导线线径2.5mm2,电源供应电压单相220伏特,若使用单相5000W电器设备会产生何种情况? 答：断路器跳闸
当供电局供电中断时,人员仍可安心待在FAB中吗?
答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB之Safety,所以人员仍可安心待在FAB中.MFG
什幺是WPH?
答：WPH(wafer per hour)机台每小时之芯片产出量
如何衡量 WPH ?
答：WPH 值愈大,表示其机台每小时之芯片产出量高,速度快
什幺是 Move?
答：芯片的制程步骤移动数量.什幺是 Stage Move?
答：一片芯片完成一个Stage之制程,称为一个Stage Move 什幺是Step Move?
答：一片芯片完成一个Step 之制程, 称为一个Step Move.Stage 和 step 的关系?
答：同一制程目的的step合起来称为一个stage;例如炉管制程长oxide的stage, 通常要经过清洗,进炉管,出炉管量测厚度3道step AMHS名词解释? 答：Automation Material Handling System;生产线大部份的lot是透过此种自动传输系统来运送
SMIF名词解释?
答：Standard Mechanic InterFace(确保芯片在操作过程中;不会曝露在无尘室的大环境中;所需的界面)所需使用的器具有FOUP/Loadport/Mini-environment等;为什幺SMIF可以节省厂务的成本? 答：只需将这些wafer run货过程中会停留的小区域控制在class 1 下即可,而其它大环境洁净度只要维持在class 100 或较低的等级);在此种界面下可简称为“包货包机台不包人”;对于维持洁净度的成本是较低的;操作人员穿的无尘衣可以较高透气性为优先考量,舒适性较佳
为什幺SMIF可以提高产品的良率?
答：因为无尘室中的微尘不易进入wafer的制程环境中
Non-SMIF名词解释
答：non-Standard mechanic InterFace;芯片在操作的过程中会裸露在无尘室的大环境中,所以整个无尘室洁净度要维持在class1的等级;所以厂务的成本较高且操作人员的无尘衣要以过滤性为优先考量,因此是较不舒适的SMIF FOUP名词解释?
答：符合SMIF标准之WAFER container,Front Opening Unit FOUP MES名词解释?
答：Manfaucture Execution System;即制造执行系统;该系统掌握生产有关的信息,简述几项重点如下(1)每一类产品的生产step内容/规格/限制(2)生产线上所有机台的可使用状况;如可run那些程序,实时的机台状态(可用/不可用)(3)每一产品批的基本资料与制造过程中的所有数据(在那些机台上run过/量测结果值/各step的时间点/谁处理过/过程有否工程问题批注…等(4)每一产品批现在与未来要执行的step等资料
EAP名词解释?
答：(1)Equpiment Automation Program;机台自动化程序;(2)一旦机台有了EAP,此系统即会依据LOT ID来和MES与机台做沟通反馈及检查, 完成机台进货生产与出货的动作;另外大部份量测机台亦可做到自动收集量测资料与反馈至后端计算机的自动化作业
EAP的好处
答：(1)减少人为误操作(2)改善生产作业的生产力(3)改善产品的良率
为什幺EAP可以减少人为操作的错误
答：(1)避免机台RUN错货(2)避免RUN错机台程序
为什幺EAP可以改善机台的生产力?
答：(1)機台可以自動Download程式不需人為操作(2)系統可以自動出入帳,減少人為作帳錯誤(3)系統可以自動收集資料減少人為輸入錯誤
为什幺EAP可以改善产品的良率?
答：(1)在Phot/etch/CMP区中,可自动微调制程参数(2)当机台alarm时,可以自动hold 住货(3)当lot内片数与MES系统内的片数帐不符合时,可自动hold 住货
GUI名词解释? 答：Graphical User Interface of MES;将MES中各项功能以图形界面的呈现方式使得user可以方便执行
EUI名词解释?功能是什麼? 答：EAP User Interface;机台自动化程序的使用者界面,透過EUI可以看到機台目前的狀態及貨在機台內的情形
SORTER 分片机的功能?
答：可对晶舟内的wafer(1)进行读刻号(2)可将wafer的定位点(notch/flat)调整到晶舟槽位(slot)的指定方位(3)依wafer号码重新排列在晶舟内相对应的槽位号码上(4)执行不同晶舟内wafer的合并(5)将晶舟内的wafer分批至多个晶舟内
OHS名词解释?
答：Over Head Shuttle of AMHS(在AMHS轨道上传送FOUP的小车)FAB内的主要生产区域有那些?（有7个）
答：黄光, 蚀刻, 离子植入, 化学气象沉积, 金属溅镀, 扩散, 化学机械研磨
Wafer Scrap规定?
答：Wafer由工程部人员判定机台、制程、制造问题，已无法或无必要再进行后续制程时，则于当站予以報廢缴库，Wafer Scrap时请填写“Wafer Scrap处理单” Wafer经由工程部人员判定机台、制程、制造问题已无法或无必要再进行后续制程时应采取何种措施?
答：SCRAP（报废，定义请参照Wafer Scrap规定）
TERMINATE规定？
答：工程试验产品已完成试验或已无法或无必要再进行后续制程时，则需终止试验产品此时就需将产品终止制程，称之为TERMINATE
WAFER经由客户通知不需再进行后续制程时应采取何种措施? 答：TERMINATE
FAB疏散演练规定一年需执行几次?
答：为确保FAB内所有工作人员了解并熟悉逃生路径及方式，MFG将不定期举行疏散演练。演习次数之要求为每班每半年一次。
何时应该填机台留言单及生产管理留言单？
答：机台留言单：机台有部分异常需暂时停止部分程序待澄清而要通知线上人员时生产留言单：有特殊规定需提醒线上人员注意时
填写完成的机台临时留言单应置放于那里?
答：使用机台临时留言单应将留言单置放于LOGSHEET或粘贴于机台上
机台临时留言单过期后应如何处理?
答：机台临时留言单過期后应由MFG On-line人員清除回收, 讯息若需长期保存则请改用生产管理留言单。
生产管理留言单的有效期限是多久? 答：三个月
何时该填写芯片留言单？
答：芯片有问题时或是芯片有特殊交待事项需让线上人员知道则可使用芯片留言单
芯片留言单的有效期限是多久? 答：三个月
填写完成的芯片留言单应置放于何处? 答：FOUP 上之套子内 芯片留言单需何人签名后才可生效? 答：MFG 的 Line Leader或Supervisor 何谓Hold Lot? 答：芯片需要停下来做实验或产品有问题需工程师判断时的短暂停止则需HOLD LOT;帐点上的状态为Hold,如此除非解決hold住的原因否则无法继续run货
PN（Production Note，制造通报）的目的?
答：(1)为公布FAB内生产管理的条例。(2)阐述不清楚和不完善的操作规则。
PN的范围?
答：(1)强调O.I.或TECN之规定, 未改变(2)更新制造通报内容(3)请生产线协助搜集数据(4)O.I.未规定或未限制, 且不改变RECIPE、SPEC及操作程序
何谓MONITOR?
答：对机台进行定期的检测或是随产品出机台时的检测称之为MONITOR，如测微粒子、厚度等
机台的MONITOR项目暂时变更时要填何种文件?
答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
暂时性的MONITOR频率增加时可用何种表格发布至线上? 答：Production Note（PN，制造通知）
新机台RELEASE但是OI尚未生效时应填具何种表格发布线上? 答：Tempory Engineering Change Notice（TECN，暂时工程变更）
控片的目的是什幺?(Control wafer)答：为了解机台未来的run货结果是否在规格内,必须使用控片去试run,并量测所得结果如厚度,平坦度,微粒数…控片使用一次就要进入回收流程。
挡片(Dummy wafer)的目的是什幺?
答：用途有2种：(1)暖机(2)补足机台内应摆芯片而未摆的空位置。挡片可重复使用到限定的时间﹝RUN数、厚度…﹞后，再送去回收.例如可以同时run150片wafer的炉管,若不足150片时必须以挡片补足,否则可能影响制程平坦度等…;High current 机台每次可同时run17片,若不足亦须以挡片补足挡片的Raw wafer(原物料wafer)有不同的阻值范围吗?
答：是的;阻值范围愈紧的,成本愈贵;例如8~12欧姆用于当产品的原物料,0~100的可能只能用当监控机台微尘的控片
機台狀態的作用?
答：為能清楚地評量機台效率,並告訴線上人員機台當時的狀況
機台狀態可分為那兩大類? 答：(1)UP(2)Down
机台状态定义为availabe可用的状态有那些?
答：RUN : 机台正常,正在使用中BKUP : 机台正常,帮其它厂RUN货IDLE : 机台正常,待料或缺人手TEST : 机台正常,借工程师做工程实验或调整RECIPETEST_CW : 机台正常,正在RUN 控檔片
机台状态定义为SCHEDULE NON-AVAILABLE的有那些? 答：MON_R : 机台正常,依据OI规定进行检查,如每shift/daily/monthlyMON_PM : 机台正常,机台定期维护后的检查PM : OI规定之例行维修时机及项目;如汽车5000KM保养HOLD_ENG : 机台正常,制程工程师澄清与确认产品异常原因,停止机台RUN LOT
在机台当机处理完后;交回制造部时应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
在工程师借机检查机台调整RECIPE时应挂何种STATUS? 答：TEST
若是机台MONITOR异常工程师借机检查机台时应挂何种STATUS? 答：DOWN
线上发现机台异常时通知工程师时应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
线上在要将机台交给工程师做PM前等待工程师的时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_ENG
工程在将机台修复后交给制造部等制造部处的这段时间应挂何种STATUS? 答：WAIT_MFG
年度维修时应挂何种STATUS? 答：OFF
Muti-Chamber的机台有一个Chamber异常时制造部因为派工ISSUE无法交出Chamber该挂何种STATUS? 答：HOLD_MFG
制程工程师澄清或确认产品异常原因停止机台RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
因工程部ISSUE而成机台不能正常RUN货时应挂何种STATUS? 答：HOLD_ENG
MES或电脑等自动化系统相关问题造成死机要挂何种STATUS? 答：CIM
因为厂务水电气的问题而造成机台死机的问题要挂何种STATUS? 答：FAC
生產線因電力壓降、不穩定造成生產中斷時,機台狀態應掛為? 答：FAC
生產線因MES中斷或EAP連線中斷而造成生產停止,此時機台將態為何? 答：CIM
机台状态EQ status定义的真正用意何在?
答：(1)机台非常贵重,所以必须知道时间都用到何处了,最好是24小时都用来生产卖钱的产品;能清楚知道时间用到何处,就能进行改善(2)责任区分,各个状态都有不同的责任单位,如制造部/设备工程师/制程工程师…等
什幺是 T/R?
答：Turn Ratio, 芯片之移动速度;即1天内移动了几个制程stage 如何衡量 T/R ?
答：一片芯片在1天内完成一个Stage Move,其 T/R值为 1.T/R 值愈大,表示其移动速度愈快,意谓能愈快完成所有制程.什幺是 EAR ?
答：Engineer Abnormal Report(工程异常报告);通常发生系统性工程问题或大量的报废时,必须issue EAR.异常事件是否issue EAR 主要依据EAR OI 定义
EAR 之目的为何 ?
答：在于记录Wafer生产过程中异常现象的发生与解决对策，及探讨异常事件的真正原因进而建立有效的预防及防止再发措施，以确保生产线之生产品质能持续改善 什幺是 MO ?
答：MO(Mis-Operation)指未依工作准则之作业,而造成的生產損失.MO 有何之可能影响?
答：(1)产品制程重做(REWORK)。(2)产品报废。(3)客户要求退还产品，并要求赔偿.如何防止 MO 之产生 ? 答：依工作准则作业.什幺是 Waferout ?
答：完成所有制程后并可当成产品卖出之芯片.什幺是 clean room(洁净室)?
答：指空气中浮尘被隔离之操作空间
为何要有 clean room ?
答：避免空气中的微浮尘掉入产品,进而破坏产品的品质
clean room 有何等级 ?
答：class 1, calss 10, class 100, class 1000, class 10000,…等级愈高(class 1)则表示要求环境之洁净度就愈高.如医院开刀房之环境为 class 1000.FOUP回收清洗流程?
答：(1)线上各大区将所使用过的FOUP送回Wafer Start 清洗。(2)下线MA将回收待清洗的FOUP.底盘逐一拆下。(3)Cassette 须量测有无问题.(全新的也须量测)。(4)拆下的Door& 底盘须用IPA擦拭干净。(5)拆下FOUP 放置Cleaner清洗。
FOUP回收清洗时间?
答：回收清洗时间为每三个月一次.然而RF ID 在每次清洗完Issue时会同时将下一次清洗的时间Updata上。
FOUP各部门领用流程? 答：各部门的领用人至W/S领取物品时,须填写”FOUP & 塑料封套 领料记录表”填上领取的件数以及部门.名字.工号即可
FAB 制造通报(Production Notice)responsibility?
答：(1)制造部负责通报的管理与执行，Fab相关部门因工程与生产需要可制作制造通报经单位主管及制造部同意后进线执行。(2)制造通报涉及工程限制（Constrain）时需由工程部门负责工程师在MES上设定/修改完成后交由制造部审核确认及生效后，此通报才能进线执行。
FAB 制造通报(Production Notice)规定和禁令?
答：(1)通报被取消则此通报将视为无效.(2)通报内容新旧版本相冲突时以新版本为主，initiator 需告知前份作废PN ,以便MA立取出(3)通报最长期限为一个月.如果通报想延长期限,必须重新提出申请与签核,但以一次为限.(4)至截止期后通报将自动失效.FAB 制造通报(Production Notice)管理?
答：(1)如果此通报由制造部主管直接公布,签署过程即省略(2)通报内容应尽量言简意赅,避免繁琐冗长的陈述(3)制造部各区文件管理人负责将取消或无效之生产通告传回Key-in Center 以避免被错误使用(4)通报应盖上Key-in center 有效公章.WHAT’S “Bank In”? 答：各部门依据规定执行Hold 货或设Future Hold，并下Bank In之制式Comment后，货到站后由当区MA/LL负责于MES作帐，Wafer存入Stocker。
WHAT’S “Bank Out”?
答：各部门于Hold Comment下Bank Out之制式Comment并通知当区主管，于MFG确认Hold Comment无误后，于MES作帐，Wafer依Comment处理。
WHAT’S ’Bank Period“?
答：每批存入Bank的Lot自Bank In起，至Bank out止，累积之时间
Bank 适用时机?
答：(1)客户通知暂停流程/放行之Wafer。(2)新制程开发，于重点层次预留/放行之Wafer。(3)经WAT检查后，有问题之Wafer。(4)经QE检查后，有问题之Wafer。(5)FAB预先生产，且需暂存之Wafer。(6)特殊原因且经MFG P&Q Section Manager同意之Wafer Bank Quota?limit?
答：(1)各部门申请的Bank有一定数量限制，依制造部与各部门讨论而定(2)PC部门则由PC与客户协议，依PC相关规定处理
Bank period规定?
答：(1)PC要求之Bank最长可存放六个月；但若Customer有特殊需求，且经PC与MFG P&Q Manager同意者，则不在此限。(2)Lot Type 为L/T/LF/C/D/Z/V者，存放期限为60天。(3)Lot Type 为P/R/M/E1~9/B者，若非PC所要求，则存放期限为7天且申请时需PC 同意。
FAB內空的FOUP應存放在那些指定位置上?
答：(1)放在指定的暂存货架上。(2)放在机台旁的待Run Wip货架上(3)Stocker內
为什幺FOUP 放在STOCK 入口而长时间不进去？
答：Stocker 已满，或不能读取RF ID。
为什幺FOUP会被送至WaferStart出口?
答：RF ID上的FOUP Clean Time 过期，或格式不正确。
何谓Bullet lot?
答：(1)就是优先权最高的lot(priority 1);(2)lot本身带有特别重要的目的;如客户大量投产前的试run产品,工程部特别重要的实验货,与其它重要目的.Bullet Lot Management Rule?
答：(1)Priority 皆为1(2)面交下一站，不得用AMHS System传送。(3)需提前通知下一站备妥机台。(4)有工程问题工程部必须优先解决此种lot 列出所有的Lot Priority，并说明其代表的含义
答：Priority 等级从1~5 优先权以1最大5最小Priority 1 :bullet lot(字义”子弹般快的lot“;此lot拥有特殊目的如重要实验,客户大量投片前试run货等..)priority 2 : hot lot(依MFG/MPC 定义而定;通常为试run货pilot lot, 验证光罩设计的实验lot..等)priority 3 : delay lot(需要加把劲否则无法准时交给客户的lot)priority 4 : normal lot(按预定进度进行的lot)priority 5 : control wafer(生产线上的控片面)将Lot 分pirority 优先权的生产管理意义? 答：生产线上众多的lot(可能有202_以上),各有不同的交期与目的,透过操控每批LOT的优先权数字设定来让所有MA知道产品安排的优先级
什幺是RF ID?
答：用来记录FOUP ID與MES對應的芯片ID、刻號、机台的EAP亦是透过RF ID 来和MES沟通了解当站该RUN那一种程序
什幺是stocker?
答：生产线上用来存放FOUP容器的仓储(FOUP有装载芯片和光罩两种)
为什幺FOUP 放在stocker 入口而长时间不进去？
答：(1)Stocker已滿(2)不能讀取RF ID 什幺FOUP 会被自动传输系统HOLD?
答：有同名的Lot.可根据Hold Reason 找出两个同名Lot 的位置。
当GUI显示说Mapping的片数和MES上的片数不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Mapping出来的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER。
Process完成后GUI显示实际RUN的片数和MES上的数量不匹配时如何处理？
答：请检查MES上LOT的片数和机台内Process完成的片数，若两者不同，请找PE/EE解决；若两者相同，请CALL EAP ENGINEER
GUI显示“FOUP due day is expired”或“FOUP clean due day is empty“时如何处理？
答：检查SmartRF ID中清洗FOUP的时间是否已经过期或时间是空值：若已过期，请换一个FOUP。若是空值，请先做IssueRF ID，何谓Bank Lot?
答：若芯片有客户要求需要长时间的停止时则需使用BANK LOT;即帐点上的状态为BANK;除非客户再次通知后解除,否则无法往下RUN货
何谓future hold?
答：MES 上的一个功能;对于未来制程中的某一歩骤,若需要停下来执行实验或检查..等目的时,可预先提早下future hold
生产线那些地方,可以感测FOUP上的RF ID并回传此FOUP的位置? 答：Stocker 与机台
HOLD住待处理的问题芯片;必须放在何处? 答：放置在指定之HOLD LOT货架上
工程师使用的芯片、控挡片;必须放在何处? 答：放置在工程师芯片专用货架上
待run产品 ,必须放在何处?
答：放入STOCKER内或放置在机台旁之货架（推车上）
Fab通常如何定义产品的复杂度?
答：必须经过几道photo layer,有几层poly, 有几层metal越多层越复杂
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问此LOT 的平均T/R是多少? 答：103 stage/22天=4.7
假设一种产品的制程共有20次photo layer,103个stage 的产品,从投片到出货的周期时间(cycle time)为22天;试问平均C/T per layer(每一photo layer的cycle time)是多少?
答：22天/20=1.1
Signal Tower 的功能为何?
答：用以提醒操作者,机台的实时状况,实时处理,增加机台的使用率 Signal Tower有那几种灯号颜色? 答：红/黄/绿三种颜色
Signal Tower的红灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台的主要功能当掉讯息出现时
Signal Tower的红灯闪烁(flash)时,代表何意义? 答：机台有任何Alarm的讯息出现时
Signal Tower的绿灯亮(ON)起来时,代表何意义? 答：机台是在run货状态;且所有进货端都摆满了货
Signal Tower的绿灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在run货状态;但有某一个以上的进货端有空档,用以提醒操作人员进货(MIR;move in request)
Signal Tower的黄灯闪烁(flash)时,代表何意义?
答：机台是在可使用状态;但有某一个以上的出货端有货run完,等着出货,用以提醒操作人员把货拿走(MOR;move Out request)光罩产品有哪两种材料组成?
答：(1)BLANK;玻璃主体;使得光容易透过(2)PELLICLE;一种高分子材料,用来保护玻璃上的电路图,避免particle影响
简单分类光罩可分为哪两种？
答：Binary光罩(一般光罩)& PSM光罩(相位移光罩);PSM光罩一般用于窄线宽或某几个最重要的PHOTO 层如Poly/Contact/Metal 1 photo layer 现行工厂内有哪两种PELLICLE(光罩的鉻膜)？
答：I-line(365光源用)DUV（248光源用）
I-line pellicle的光罩可否用于DUV的曝光机?
答：不能;因为DUV光源的能量Energy较强,会将pellicle 烧焦
DUV pellicle的光罩可否用于I-line的曝光机? 答：可以
光罩上PATTERN或玻璃面有刮伤可否修补? 答：不能
PELLICLE毁损能否修补?
答：若没伤到pellicle下的电路图形，可撕除pellicle,重新贴上新的PELLICLE 何谓cycle time,周期时间?
答：wafer 从投片wafer start 到WAT电性测试结束这段生產时间(如早上出门.搭车到达公司所需经过的时间)
cycle time 周期时间是由那些时间所构成答：(1)Process time 所有步骤的制程时间总和(2)waiting time : 所有步骤中所耗费的等待时间,如等人或等机台有空(3)hold time:所有步骤因为异常等原因,被扣留下来检查的时间
如何降低cycle time 周期时间?
答：cycle time是process time(机台run货时间),waiting time(等候时间), hold time(等待澄清问题时间);所以任何有助于降低三者的活动皆有帮助
如何减少process time 总和? 答：(1)由制程整合工程师检讨流程中是否有步骤可以去除不做;如一些检查站点或清洗站点等(2)由工程部制程工程师研究改善缩短每一步骤的制程时间(需经过实验测试是否影响品质,此项达成度较难)如何减少waiting time总和?
答：waiting time 是因为少人少机台所造成;所以有下列几种方法(1)加人买机台(此方法必须说服老板人和机台都已充份利用最大化了)(2)改善人的能力;如每一MA有多种操作技能,加强派货能力等(3)改善机台的能力;如增加WPH每小时的产出量,设备工程师将机台维持在高的UP time等(4)检讨减少生产线上的wafer 数目;检讨是否有太早下线的wafer或不必要的实验货,过多少片数的LOT(例如透过公运输或多人共乘减少)路上的车辆
如何减少hold time 总和? 答：hold time 来自制程不稳定与机台不稳定和实验测试所致;与发生hold time后的后续处理时间;所以必须针对这几项来着手
如何简单地评定一个代工厂的能力?
答：(1)良率维持在稳定的高点(2)周期时间cycle tiem愈短愈好(3)製造成本愈低愈好
工厂准时交货率(On-Time Delivery Order)
答：值越高表示工厂准时交货的能力越好，对于客户的服务也越佳
工厂产量完成率(On-Time Delivery for Volume)答：衡量工厂满足客户需求的能力是否良好，但并不评估是否按照预定日程交货，值越高越好
控/挡片使用率(Control/Dummy Usage)
答：平均每生产一片芯片所需使用的控/挡片数量由于控/挡片可以重复使用，因此当生产线系统越稳定，技术员操作越熟练，则控/挡片寿命也越长，生产成本也因而降低。
何谓OI?
答：Operation Instruction操作指导手册；每一型号的机台都有一份OI。OI含括制程参数、机台程序、机器简介、操作步骤与注意事项。其中操作步骤与注意事项是我们该熟记的部分
何谓Discipline
答：简单称之为『纪律』。泛指经由训练与思考，对群体的价值观产生认同而自我约束，使群体能在既定的规范内达成目标，与一般的盲从不同。
如何看制造部的纪律好不好?
答：制造部整体纪律的表现，可以由FAB执行6S够不够彻底和操作错误多寡作为衡量标准！
如何看整个FAB纪律好不好?
答：FAB内整体的纪律表现，可以反应在Yield上。
公司的企业文化为何? 答：重操守（integrity）诚实（honesty）团队合作（team work）注重效能（effectiveness）永续经营和不断改进（PDCA——plan/do/check/action）
那些是对外不可说的事?
答：(1)产品良率(Yield)(2)订单数量(3)客户名字(4)公司组织(5)主管手机号码(6)公司人数(7)其它厂商Vendor的资料(8)生产线的机台台数及种类。
那些是对外不可做的事? 答：(1)与Vendor聚餐,需经过部门主管的同意(2)收佣金,有价证券(3)收受礼物(礼物价值>15RMB)(4)接受招待旅游(5)出入不正当场所
Fab4的工作精神为何? 答：OwnershipHands OnTeamwork&CooperateCall for helpFollow up;Discipline 何谓Ownership? 答：主人翁精神;对待处理公事如己之私事般完善;把事情做好而不是把事情做完
何谓Hands On ?
答：亲力亲为;总裁Richard要求所有人尤其是主管必须对自己的业务了若指掌
何谓Call for help ?
答：请求支持;任务过程中遇困难,必须寻求同事或主管帮忙,否则会误了大事
为什幺沟通时必须使用”精准“的字眼?,避免使用”好象“, ”可能“;”大概“ ,”差不多“ 等模糊字眼
答：因为团队的其它人必须根据你的话来下决定与做判断,一旦用了模糊字眼,就必须一来一往才能澄清问题,泿费时间,所以不了解的事,就直接回答不清楚
为什幺开会描述问题时,必须先讲结果或别人必须配合的AR(action request),然后再讲问题发生的原因? 答：因为开会时间有限,参与的人太多(如全厂的生产晨会);先讲结果或AR可以让人快速抓住重点,如果时间不足原因可以简略说明即可
为什幺会议中要避免某些人”开小会“(小组自行讨论)的现象? 答：因为你不是主持人,开小会使得议程被打断,讨论主题发散,会议时间冗长,泿费大家时间
为什幺开会,上台进行演示文稿时,要力求大声?
答：因为所有人必须跟据你的说明下判断或决定,而且小声讲也显得自己没有自信
什幺是6S运动?
答：在自己的工作区内彻底执行整理/整顿/清扫/清洁/纪律/安全6项作业准则标准
整理与整顿的意含差异?
答：整理为保管要的东西,丢掉不要的东西,整顿为针对要的东西进行定位/标示/归位的动作
清扫与清洁的意含差异?
答：清除为清除脏乱污垢,清洁为保持整理/整顿/清扫的成果
6S运动推广重点区域?
答：办公区与洁净室是两大重点
为何无尘室中的任何地板开孔都必须以警示围篱区隔?
答：为了安全考量;任何小洞都可能造成人员拌倒,芯片摔破
为何无尘室中的中间走道高架地板上要铺设钢板? 答：为防止move-in 机台所用的拖板车刮伤地板
无尘室中间走道高架地板上的钢板,如何铺设?
答：先铺设塑料垫,再铺设钢板,每一片钢板的接鏠边必须以胶带贴合,避免人员或芯片推车拌倒
无尘室中有那些地板必须以颜色胶带做定位?
答：中间走道,各Bay信道,机台安装前的定位标示,逃生信道,货架定位,零附件暂存区定位
无尘室中的最大发尘源为何? 答：无尘室中走动的人
那些会发尘的物品不得带入无尘室? 答：通常属于天然类的物质都会发尘,如一般纸张,木箱,铅笔,等
无尘室中施工时必须参考的layout 图,如何带入无尘室? 答：请以无尘纸影印人后带入
可在无尘室中做地板切割作业?
答：不行,因为会产生微尘,所以请将地板携出进行作业
可在无尘室中做地板钻孔作业?
答：可以,但钻孔时必须同时以吸尘器清除这些铁屑(必须2人同时作业)货架不能挡住那些紧急设施?
答：冲身洗眼器,灭火器,机台的紧急按钮(EMO)手套上写字记事情,为什幺违反6S规定? 答：因为笔墨会到处沾粘;是微尘的来源
口罩必须如何戴才不违反6S规定?
答：完全盖住口鼻;且全程保持标准,不得拉下口罩,露出鼻子
制程或设备工程师review 完问题货,如果不放回定位,hold lot 货架或stocker内会有何影响? 答：制造部MA,将大海捞针式地搜索此LOT,因为只有在Stocker和机台上才能感测RFID,回传该LOT的位置
如何从自身执行公司的机密文件管制?
答：机密文件档案严禁任意放置在档案柜内或桌面上,必须放入有锁的抽里。
办公区域内不可吃饮料类以外的食物属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内不得任意喧哗属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
办公区域内严禁打电子游戏属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
有独立办公室的同仁在离开办公室时，必须关上门属于那一种要求? 答：办公区的工作纪律
下班时请将桌面上所有文件清除属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
桌面下方物品堆放整齐，不可有杂物属于那一种要求? 答：办公区的整理整顿
何谓OCAP?
答：Out of Control Action Plan, 即产品制程结果量测值或机台监控monitor量测值,违反统计制程管制规则后的因应对策
制造部人员如何执行品质监控系统OCAP?
答：遇产品或机台monitor量测值OOC或OOS时,必须Follow 相对应的检查流程(有厚度/微尘/CD/Overlay…等OCAP 窗体);并通知工程师检查工程上的问题
工程部人员(制程或设备工程师)如何执行品质监控系统OCAP?
答：制造部MA通知必须Follow的OCAP;必须依流程判断LOT或机台有工程间题
什幺是OOS?
答：out of spec;制程结果超出允收规格
什幺是OOC?
答：out of control;制程结果在允收规格内但是违反统计制程管制规则;用以警讯机台或制程潜在可能的问题
发现Fab内地板有如水的不明液体要如何处理?
答：请先假设它可能为强酸强碱, 以酸碱试纸检测PH值后再以无尘布或吸酸棉吸收后丢入分类垃圾桶中
Fab内的灭火器为那一类? 答：CO2 类
为什幺FAB必须使用CO2类的灭火器? 答：因为CO2无干粉灭火器产尘的顾忌
如果不依垃圾分类原则来丢垃圾会有什幺后果?
答：可能造成无尘室的火灾危机,因为酸碱中和,产生热后可能引起火灾
无尘室的正下方我们称为什幺? 答：sub-fab
Sub-fab的功能主要为何?
答：生产机台所需的供酸供气等需求,主要由此处来供应上来
Fab内的空气和外界进行交换的比例为何? 答：约20%~25%
Fab生产区域内最在意静电(ESD)效应的区域为何? 答：PHOTO 黄光区(低能量静电放电导致光罩的破坏)PHOTO 区如何消除静电效应
答：(1)机台接地(2)使用导电或防静电的材质(3)使用静电消除装置
PHOTO 区的静电消除器安置在那些地方?
答：(1)天花板(2)机台scanner上方(3)Stocker内
静电效应主要造成那些破坏? 答：(1)使得wafer表面易吸附particle(2)堆积的静电荷一旦有放电作用,即会因产生的电流造成组件的破坏
何谓冲身洗眼器?/何处可以找到?
答：无尘室中各区域皆会有;是一可紧急使用冲淋身体与眼睛的地方
遇到什幺状况时,需要使用冲身洗眼器
答：当碰到酸碱或任何其它溶剂时,请立即进入冲淋间,以大量清水冲淋15分钟,然后赶急至医护室进行下一步处理
为何要配合海关进行资产盘点?(机台/芯片/原物料)
答：因为进口的大部份资产都有关税优惠;海关为了解企业确实将这些进口的材料加工成品后卖钱;而不是转手卖掉.这一盘点对公司来说是非常重要的
PHOTO区域若发生miss operaton;可进行rework将光阻去除后重新来过;所以不用太紧张对吗?
答：错!重做多次将影响良率
PEL-STEL(short term exposure limit)短时间(15分钟)时量平均容许浓度
答：劳工在短时间之内可以连续暴露，而不会遭受刺激，慢性或不可逆的组织损害，或在每天之暴露没有超过工作日时量平均容许浓度时不致因昏迷以致于会增加意外事故，损害自我救援能力，或实质地降低工作效率。
PEL-Ceiling最高容许浓度：
答：在工作期间之任何时间暴露，均不可以超过的浓度。
LEL & UEL(Lower(Upper)Explosion Limit)
答：.爆炸下限 & 爆炸上限;可燃性气体分子在空气中混合后的气体百分率,达爆炸范围时，可引起燃烧或爆炸，此爆炸范围的下限及上限称为LEL及UEL例如 SiH4 1.4%-96%
TLV(THRESHOLD LIMIT VALUE)国际标准阈限值、恕限量
答：空气中的物质浓度，在此情况下认为大多数人员每天重复暴露，不致有不良效应。在此浓度每天呼吸暴露8小时不致有健康危害。但因每人体质感受性差异很大，因此，有时即使低于TLV之浓度方可能导致某些人之不舒服、生病或使原有情况加剧。
PEL-TWA(time-weighted average)工作日时量平均容许浓度：各国家对同要物质可能有不同 TWA;例如AsH3 在 USA:20ppb Taiwan:50ppb
答：正常8小时一个工作天,40小时一工作周之时间加权的平均浓度下，大部份的劳工都重复一天又一天的曝露，而无不良的反应。
PHOTO
PHOTO 流程?
答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測
何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？
答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。
何为正光阻?
答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。
何为负光阻?
答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。
什幺是曝光？什幺是显影？
答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。
何谓 Photo?
答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。
Photo主要流程为何?
答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等。
何谓PHOTO区之前处理?
答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结合。
何谓上光阻? 答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。何谓Soft Bake?
答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。
何谓曝光?
答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。
何谓PEB(Post Exposure Bake)?
答：PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。
何谓显影? 答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的Wafer进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。
何谓Hard Bake?
答：Hard Bake是通过烘烤使显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。
何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺？
答：BARC=Bottom Anti Reflective Coating, TARC=Top Anti Reflective Coating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。
何谓 I-line？
答：曝光过程中用到的光，由Mercury Lamp(汞灯)产生，其波长为365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。
何谓 DUV？
答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。
I-line与DUV主要不同处为何?
答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35微米以上）或者较先进制程（0.35微米以下）的Non-Critical layer。DUV则用在先进制程的Critical layer上。
何为Exposure Field?
答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域
何谓 Stepper? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個exposure field,一個一個曝過去
何谓 Scanner? 其功能为何?
答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個exposure field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field.何为象差？
答：代表透镜成象的能力,越小越好.Scanner比Stepper优点为何？
答：Exposure Field大，象差较小
曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy(曝光量), Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。
何为Reticle?
答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。
何为Pellicle?
答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(dust)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。
何为OPC光罩？
答：OPC(Optical Proximity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18微米以下的Poly, Metal layer就是OPC光罩。
何为PSM光罩？
答：PSM(Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact layer以及较小CD的Critical layer（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。
何為CR Mask？
答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊0與1干涉成像,主要應用在較不Critical 的layer
光罩编号各位代码都代表什幺？
答：例如003700-156AA-1DA, 0037代表产品号，00代表Special code,156代表layer,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台）
光罩室同时不能超过多少人在其中？
答：2人，为了避免产生更多的Particle和静电而损坏光罩。
存取光罩的基本原则是什幺？
答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出Mask Room,最多只准保持2个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放
如何避免静电破坏Mask？
答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。
光罩POD和FOUP能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？
答：不能放在一起，之间至少要有30公分的距离，防止搬动FOUP时碰撞光罩Pod而损坏光罩。
何谓 Track?
答：Photo制程中一系列步骤的组合，其包括：Wafer的前、后处理，Coating(上光阻)，和Develop(显影)等过程。
In-line Track机台有几个Coater槽，几个Developer槽？
答：均为4个
机台上亮红灯的处理流程？
答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能RUN货，因此应该及时Call E.E进行处理。若EE现在无法立即解决，则将机台挂DOWN。
何谓 WEE? 其功能为何?
答：Wafer Edge Exposure。由于Wafer边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻peeling而影响其它部分的图形，因此 将Wafer Edge的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。
何为PEB？其功能为何？
答：Post Exposure Bake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除standing waves）
PHOTO POLYIMIDE所用的光阻是正光阻还是负光阻
答：目前正负光阻都有，SMIC FAB内用的为负光阻。
RUN货结束后如何判断是否有wafer被reject？
答：查看RUN之前lot里有多少Wafer,再看Run之后lot里的WAFER是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有Reject记录。
何谓 Overlay? 其功能为何?
答：迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整process condition.何谓 ADI CD?
答：Critical Dimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量CD的值来确定process的条件是否合适。
何谓 CD-SEM? 其功能为何?
答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量CD以及观察图案。
PRS的制程目的为何？
答：PRS(Process Release Standard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对Wafer曝光，以选择最佳的process condition。
何为ADI？ADI需检查的项目有哪些？
答：After Develop Inspection，曝光和显影完成之后，通过ADI机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：Layer ID,Locking Corner,Vernier,Photo Macro Defect 何为OOC, OOS，OCAP？
答：OOC=out of control,OOS=Out of Spec,OCAP=out of control action plan 当需要追货的时候，是否需要将ETCH没有下机台的货追回来？
答：需要。因为通常是process出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有ETCH的货追回来，否则ETCH之后就无法挽回损失。
PHOTO ADI检查的SITE是每片几个点？
答：5点，Wafer中间一点，周围四点。
PHOTO OVERLAY检查的SITE是每片几个点？
答：20
PHOTO ADI检查的片数一般是哪几片？
答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量 何谓RTMS，其主要功能是什幺？
答：RTMS(Reticle Management System)光罩管理系统用于trace光罩的History,Status,Location,and Information以便于光罩管理
PHOTO区的主机台进行PM的周期？
答：一周一次
PHOTO区的控片主要有几种类型
答：(1)Particle :作為Particle monitor用的芯片,使用前測前需小於10顆(2)Chuck Particle :作為Scanner測試Chuck平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus :作為Scanner Daily monitor best 的wafer(4)CD :做為photo區daily monitor CD穩定度的wafer(5)PR thickness :做為光阻厚度測量的wafer(6)PDM :做為photo defect monitor的wafer
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
当TRACK刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？
答：有少量光阻
WAFER SORTER有读WAFER刻号的功能吗？
答：有
光刻部的主要机台是什幺? 它们的作用是什幺?
答：光刻部的主要机台是: TRACK(涂胶显影机), Sanner(扫描曝光机)为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相技术
答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是”人物“.通过对准,对焦,打开快门, 让一定量的光照过光罩, 其图像呈现在芯片的光刻胶上, 曝光后的芯片被送回Track 的显影槽, 被显影液浸泡, 曝光的光刻胶被洗掉, 图形就显现出来了.光刻技术的英文是什幺
答：Photo Lithography
常听说的.18 或点13 技术是指什幺?
答：它是指某个产品,它的最小”CD" 的大小为0.18um or 0.13um.越小集成度可以越高, 每个芯片上可做的芯片数量越多, 难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.从点18工艺到点13 工艺到点零9.难度在哪里?
答：难度在光刻部, 因为图形越来越小, 曝光机分辨率有限.曝光机的NA 是什幺?
答：NA是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是1;先进的曝光机的NA 在0.5---0.85之间.曝光机分辨率是由哪些参数决定的? 答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda是用于曝光的光波长;NA是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数, 通常在0.4--0.7之间.如何提高曝光机的分辨率呢?
答：减短曝光的光波长, 选择新的光源;把透镜做大,提高NA.现在的生产线上, 曝光机的光源有几种, 波长多少?
答：有三种: 高压汞灯光谱中的365nm 谱线, 我们也称其为I-line;KrF 激光器, 产生248 nm 的光;ArF 激光器, 产生193 nm 的光;下一代曝光机光源是什幺? 答：F2 激光器.波长157nm
我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率? 困难在哪里?
答：不可以.困难在透镜材料.能透过157nm 的材料是CaF2, 其晶体很难生长.还未发现能透过更短波长的材料.为什幺光刻区采用黄光照明？
答：因为白光中包含365nm成份会使光阻曝光,所以采用黄光;就象洗像的暗房采用暗红光照明.什幺是SEM
答：扫描电子显微镜(Scan Electronic Microscope)光刻部常用的也称道CD SEM.用它来测量CD
如何做Overlay 测量呢?
答：芯片(Wafer)被送进Overlay 机台中.先确定Wafer的位置从而找到Overlay MARK.这个MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层, 小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定Overlay的好坏.生产线上最贵的机器是什幺
答：曝光机;5-15 百万美金/台
曝光机贵在哪里?
答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由15 到20 个直径在200 300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的5%.它有精密的定位系统(使用激光工作台)
激光工作台的定位精度有多高?
答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于10nm 曝光机是如何保证Overlay<50nm
答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度<50nm.它首先要有一个精准的激光工作台, 它把wafer移动到准确的位置.再就是成像系统,它带来的图像变形<35nm.在WAFER 上, 什幺叫一个Field?
答：光罩上图形成象在WAFER上, 最大只有26X33mm一块(这一块就叫一个Field),激光工作台把WAFER 移动一个Field的位置，再曝一次光，再移动再曝光。直到覆盖整片WAFER。所以，一片WAFER 上有约100左右Field.什幺叫一个Die?
答：一个Die也叫一个Chip;它是一个功能完整的芯片。一个Field可包含多个Die;
为什幺曝光机的绰号是“印钞机”
答：曝光机 很贵；一天的折旧有3万-9万人民币之多;所以必须充份利用它的产能,它一天可产出1600片WAFER。
Track和Scanner内主要使用什幺手段传递Wafer：
答：机器人手臂(robot), Scanner 的ROBOT 有真空(VACCUM)来吸住WAFER.TRACK的ROBOT 设计独特, 用边缘HOLD WAFER.可否用肉眼直接观察测量Scanner曝光光源输出的光
答：绝对禁止;强光对眼睛会有伤害
为什幺黄光区内只有Scanner应用Foundation(底座)答：Scanner曝光对稳定性有极高要求(减震)近代光刻技术分哪几个阶段?
答：从80’S 至今可分4阶段:它是由曝光光源波长划分的;高压水银灯的G-line(438nm), I-line(365nm);excimer laser KrF(248nm), ArF laser(193nm)I-line scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.35um 以上的图层(LAYER)KrF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.13um 以上的图层(LAYER)ArF scanner 的工作范围是多少?
答：CD >0.08um 以上的图层(LAYER)什幺是DUV SCANNER
答：DUV SCANNER 是 指所用光源为Ｄeep Ultra Voliet, 超紫外线．即现用的248nm,193nm Scanner
Scanner在曝光中可以达到精确度宏观理解：
答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制iverlay<40nm,在曝光过程中，光罩和Wafer的运动要保持很高的同步性．在250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置<10nm．相当于两架时速1000公里／小时的波音747飞机前后飞行，相距小于10微米
光罩的结构如何？
答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）．在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）．在距铬膜5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫pellicle），保护铬膜不受外界污染.在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸
答：普通纸张是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）．进cleanroom 要带专用的Cleanroom Paper.如何做CD 测量呢? 答：芯片(Wafer)被送进CD SEM 中.电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同;处理此信号可的图像.对图像进行测量得CD.什幺是DOF
答：DOF 也叫Depth Of Focus, 与照相中所说的景深相似.光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像, 我们称之为像平面(Image Plan), 只有将像平面与光阻平面重合(In Focus)才能印出清晰图形.当离开一段距离后, 图像模糊.这一可清晰成像的距离叫DOF
曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？
答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉．去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上．另一作用是充当例子注入的模板．
光阻种类有多少？
答：光阻种类有很多．可根据它所适用的曝光波长分为I-line光阻,KrF光阻和ArF光阻
光阻层的厚度大约为多少？
答：光阻层的厚度与光阻种类有关．I-line光阻最厚，0.7um to 3um.KrF光阻0.4-0.9um.ArF光阻0.2-0.5um.哪些因素影响光阻厚度？
答：光阻厚度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转速度有关，越快越薄，与光阻粘稠度有关．
哪些因素影响光阻厚度的均匀度？
答：光阻厚度均匀度与芯片（ＷＡＦＥＲ）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关．
当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理
答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的ＣＳＤＳ（Chemical Safety Data Sheet）,把它提供给医生，以协助治疗
第二篇：半导体论文
半导体器件论文试题（任选5题）
《1月7号前交给班长，要求手写》
1、阐述本征半导体、P型半导体、N型半导体的概念并给出其能带图。
2、论述PN结的构成及其能带图的成因。
3、论述PN结单向导电的成因。
4、论述PN结被击穿的机理。
5、论述PN结电容的分类及内在机制。
6、以NPN型晶体管为例论晶体管的基本结构及其放大原理。
7、以NPN型晶体管为例论述晶体管反向电流的种类及其成因。
8、论述P-N结模型伏安特性偏离理想方程的原因。
9、推导证明本征半导体的费米能级Ei基本在禁带中间。
10、论述MIS结构表面积累、表面耗尽、表面反型的形成机理。
第三篇：半导体工艺
圓晶是制作 一般清洗技术
光学显影是在感光胶上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到感光胶下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了感光胶涂布、烘烤、光罩对准、曝光和显影等程序。曝光方式:紫外线、X射线、电子束、极紫外
蝕刻技術（EtchingTechnology）是將材料使用化學反應物理撞擊作用而移除的技術。可以分為: 濕蝕刻（wetetching）:濕蝕刻所使用的是化學溶液，在經過化學反應之後達到蝕刻的目的.乾蝕刻（dryetching）:乾蝕刻則是利用一种電漿蝕刻
CVD化學气相沉積是利用热能、电浆放电或紫外光照射等化学反应的方式，在反应器内将反应物（通常为气体）生成固态的生成物，并在晶片表面沉积形成稳定固态薄膜
较为常见的CVD薄膜包括有：■二气化硅（通常直接称为氧化层）■氮化硅■多晶硅■耐火金属与这类金属之其硅化物
物理气相沈積（PVD）
主要是一种物理制程而非化学制程。此技术一般使用氩等钝气，藉由在高真空中将氩离子加速以撞击溅镀靶材后，可将靶材原子一个个溅击出来，并使被溅击出来的材质（通常为铝、钛或其合金）如雪片般沉积在晶圆表面
离子植入技术可将掺质以离子型态植入半导体组件的特定区域上，以获得精确的电子特性。
太阳能的生产工艺流程分为硅片检测——表面制绒及酸洗——扩散制结——去磷硅玻璃——等离子刻蚀及酸洗——镀减反射膜——丝网印刷——快速烧结等。
丝印简单点就叫漏印，是通过胶刮压力迫使油墨从网眼中漏下去。使用的网版、胶刮。移印则是通过胶头的作用将刻在钢板上的图案转移到工件上，类似盖章。使用钢板、胶头。一般情况下丝印的墨层比移印厚，因此线条比较细的图案用移印比较容易，大色块的图案用丝印比较容易。
丝印机总的来讲，用于平面或者曲面的印刷。而移印机可以用于很多不规则物品的印刷的，比如球体之类的等等。丝印机需要出网版，移印机需要做钢板
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备
一、硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组，其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。经过一定时间，磷原子从四周进入硅片的表面层，并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散，形成了N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结的形成，才使电子和空穴在流动后不再回到原处，这样就形成了电流，用导线将电流引出，就是直流电。
四、去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
五、等离子刻蚀
由于在扩散过程中，即使采用背靠背扩散，硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀，以去除电池边缘的PN结。通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。等离子刻蚀是在低压状态下，反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体。等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团。活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面，被真空系统抽出腔体。
六、镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理是利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和NH3，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。一般情况下，使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。这样厚度的薄膜具有光学的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，电池的短路电流和输出就有很大增加，效率也有相当的提高。
七、丝网印刷
太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，可以在光照下产生电流，为了将产生的电流导出，需要在电池表面上制作正、负两个电极。制造电极的方法很多，而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上，该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。其工作原理为：利用丝网图形部分网孔透过浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，同时朝丝网另一端移动。油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内，印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触，接触线随刮刀移动而移动，从而完成印刷行程。
八、快速烧结
经过丝网印刷后的硅片，不能直接使用，需经烧结炉快速烧结，将有机树脂粘合剂燃烧掉，剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时，晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去，从而形成上下电极的欧姆接触，提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数，使其具有电阻特性，以提高电池片的转换效率。
烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉，此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应，形成电阻膜结构，使其真正具有电阻特性，该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段，玻璃冷却硬化并凝固，使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
九、外围设备
在电池片生产过程中，还需要供电、动力、给水、排水、暖通、真空、特汽等外围设施。消防和环保设备对于保证安全和持续发展也显得尤为重要。一条年产50MW能力的太阳能电池片生产线，仅工艺和动力设备用电功率就在1800KW左右。工艺纯水的用量在每小时15吨左右，水质要求达到中国电子级水GB/T11446.1-1997中EW-1级技术标准。工艺冷却水用量也在每小时15吨左右，水质中微粒粒径不宜大于10微米，供水温度宜在15-20℃。真空排气量在300M3/H左右。同时，还需要大约氮气储罐20立方米，氧气储罐10立方米。考虑到特殊气体如硅烷的安全因素，还需要单独设置一个特气间，以绝对保证生产安全。另外，硅烷燃烧塔、污水处理站等也是电池片生产的必备设施。
第四篇：半导体物理教学大纲（精选）
《半导体物理》
课程编号：01500277
课程名称：半导体物理 Semiconductor Physics 学分：3.5 学时: 56
先修课程： 固体物理、量子力学、理论物理
一、目的与任务
《半导体物理学》是电子科学与技术专业的一门必修课程。通过学习本课程，使学生掌握半导体物理的基本理论和基本规律，培养学生分析和应用半导体各种物理效应的能力，同时为后继课程《半导体器件》与《半导体集成电路》的学习奠定基础。
本课程的任务是揭示和研究半导体的微观机构，从微观的角度解释发生在半导体中的宏观物理现象；重点学习半导体中的电子状态及运动规律；学习半导体中载流子的统计分布、输运理论及相关规律；学习载流子在输运过程中发生的一些宏观物理现象；学习半导体的某些基本结构，包括金属半导体结及表面问题。
二、教学内容及学时分配
第一章 半导体中的电子状态（8学时）1．半导体中的电子状态与能带 2．半导体中电子的运动有效质量 3．本征半导体的导电机构空穴 4．硅和锗的能带结构
第二章 半导体中杂质和缺陷能级（2学时）1．硅、锗晶体中的杂质能级 2．Ⅲ-V族化合物中的杂质能级
第三章 半导体中载流子的统计分布（8学时）1．状态密度
2．费米能级和载流子的统计分布 3．本征半导体的载流子浓度 4．杂质半导体的载流子浓度 5．一般情况下的载流子统计分布 6．简并半导体
第四章 半导体的导电性（8学时）1．载流子的漂移运动迁移率 2．载流子的散射
3．迁移率与杂质浓度和温度的关系 4．电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 5．波尔兹曼方程电导率的统计理论 6．强电场下的效应，热载流子 7．多能谷散射耿氏效应 第五章 非平衡载流子（8学时）1．非平衡载流子的注入与复合 2．非平衡载流子的寿命 3．准费米能级 4．复合理论 5．陷阱效应 6．载流子的扩散运动
7．载流子的漂移运动爱因斯坦关系 8．连续性方程式
第六章 金属和半导体接触（4学时）1．金属与半导体接触及其能带图 2．金属与半导体接触的整流理论 3．欧姆接触
第七章 半导体表面与MIS结构（4学时）1．表面态 2．表面电场效应
3．MIS结构的电容电压特性 4．硅—二氧化硅系统的性质 第八章 异质结（2学时）1．异质结及其能带图 2．异质结的电流输运机构
第九章半导体的光电性质、光电与发光现象（4学时）1．半导体的光吸收和光电导 2．半导体的光生伏特效应 3．半导体的发光、激光
第十章 半导体热电性质（4学时）1．热电效应 2．热电效应的应用
第十一章 半导体磁和压阻效应（4学时）1．霍耳效应 2．磁阻效应 3．光磁电效应 4．压阻效应
三、考核与成绩评定
采用纸笔式闭卷考试，按百分制进行成绩评定。
四、大纲说明
1.本课程在理论物理基础课程学习之后开设。学生应掌握必要的热力学与统计物理、量子力学、电磁场、固体物理学等知识。
2.在保证基本教学要求的前提下，教师可以根据实际情况，对内容进行适当的调整和删节。
3.本大纲适合近电子科学与技术类专业。
五、教科书、参考书
［1］刘恩科，朱秉升，罗晋生等.半导体物理学［M］.北京：国防工业出版社，1994.［2］叶良修.半导体物理学［M］.上册.北京：高等教育出版社，1986.［3］S.M.Sze,physics of Semiconductor Devices［M］.John Wiley and Sons,Inc.1981.《微电子器件基础》
第五篇：常用半导体器件教案
第一章
常用半导体器件
1.1 半导体基础知识
1.1.1 本征半导体
一、半导体
1． 概念：导电能力介于导体和绝缘体之间。2． 本征半导体：纯净的具有晶体结构的半导体。
二、本征半导体的晶体结构（图1.1.1）
1． 晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵。2． 共价键
三、本征半导体中的两种载流子（图1.1.2）
1． 本征激发：在热激发下产生自由电子和空穴对的现象。2． 空穴：讲解其导电方式； 3． 自由电子
4． 复合：自由电子与空穴相遇，相互消失。5． 载流子：运载电荷的粒子。
四、本征半导体中载流子的浓度
1． 动态平衡：载流子浓度在一定温度下，保持一定。2． 载流子浓度公式：
nipiK1T3/2eEGO/(2kT)
自由电子、空穴浓度（cm5－
3），T为热力学温度，k为波耳兹曼常数（8.6310eV/K），EGO为热力学零度时破坏共价键所需的能量（eV），又称禁带宽度，K1是与半导体材料载流子有效质量、有效能级密度有关的常量。
1.1.2 杂质半导体
一、概念：通过扩散工艺，掺入了少量合适的杂质元素的半导体。
二、N型半导体（图1.1.3）
1． 形成：掺入少量的磷。2． 多数载流子：自由电子 3． 少数载流子：空穴
4． 施主原子：提供电子的杂质原子。
三、P型半导体（图1.1.4）
1． 形成：掺入少量的硼。2． 多数载流子：空穴 3． 少数载流子：自由电子
4． 受主原子：杂质原子中的空穴吸收电子。
5． 浓度：多子浓度近似等于所掺杂原子的浓度，而少子的浓度低，由本征激发形成，对温度敏感，影响半导体的性能。
1.1.3 PN结
一、PN结的形成（图1.1.5）
1． 扩散运动：多子从浓度高的地方向浓度低的地方运动。2． 空间电荷区、耗尽层（忽视其中载流子的存在）3． 漂移运动：少子在电场力的作用下的运动。在一定条件下，其与扩散运动动态平衡。4． 对称结、不对称结：外部特性相同。
二、PN结的单向导电性
1． PN结外加正向电压：导通状态（图1.1.6）正向接法、正向偏置，电阻R的作用。（解释为什么Uho与PN结导通时所表现的外部电压相反：PN结的外部电压为U即平时的0.7V，而内电场的电压并不对PN结的外部电压产生影响。）
2． PN结外加反向电压：截止状态（图1.1.7）反向电压、反向偏置、反向接法。形成漂移电流。
三、PN结的电流方程
1． 方程（表明PN结所加端电压u与流过它的电流i的关系）：
iIS(euUT1)
UTkT
q为电子的电量。q2．平衡状态下载流子浓度与内电场场强的关系： 3． PN结电流方程分析中的条件：
4． 外加电压时PN结电流与电压的关系：
四、PN结的伏安特性（图1.1.10）
1． 正向特性、反向特性
2． 反向击穿：齐纳击穿（高掺杂、耗尽层薄、形成很强电场、直接破坏共价键）、雪崩击穿（低掺杂、耗尽层较宽、少子加速漂移、碰撞）。
五、PN结的电容效应
1． 势垒电容：（图1.1.11）耗尽层宽窄变化所等效的电容，Cb（电荷量随外加电压而增多或减少，这种现象与电容器的充放电过程相同）。与结面积、耗尽层宽度、半导体介电常数及外加电压有关。2． 扩散电容：（图1.1.12）
（1）平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子。
（2）非平衡少子：PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区扩散到P区的自由电子。
（3）浓度梯度形成扩散电流，外加正向电压增大，浓度梯度增大，正向电流增大。
（4）扩散电容：扩散区内，电荷的积累和释放过程与电容器充放电过程相同。i越大、τ越大、UT越小，Cd就越大。
（5）结电容CjCbCd
pF级，对于低频忽略不计。
1.2 半导体二极管
（几种外形）（图1.2.1）
1.2.1 半导体二极管的几种常见结构（图1.2.2）
一、点接触型：电流小、结电容小、工作频率高。
二、面接触型：合金工艺，结电容大、电流大、工作频率低，整流管。
三、平面型：扩散工艺，结面积可大可小。
四、符号
1.2.2 二极管的伏安特性 一、二极管的伏安特性
1． 二极管和PN结伏安特性的区别：存在体电阻及引线电阻，相同端电压下，电流小；存在表面漏电流，反向电流大。
2． 伏安特性：开启电压（使二极管开始导通的临界电压）（图1.2.3）
二、温度对二极管方案特性的影响
1． 温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移。
2． 室温时，每升高1度，正向压降减小2～2.5mV；每升高10度，反向电流增大一倍。
1.2.3 二极管的主要参数
一、最大整流电流IF：长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。
二、最高反向工作电压UR：工作时，所允许外加的最大反向电压，通常为击穿电压的一半。
三、反向电流IR：未击穿时的反向电流。越小，单向导电性越好；此值对温度敏感。
四、最高工作频率fM：上限频率，超过此值，结电容不能忽略。
1.2.4 二极管的等效电路 一、二极管的等效电路：在一定条件下，能够模拟二极管特性的由线性元件所构成的电路。一种建立在器件物理原理的基础上（复杂、适用范围宽），另一种根据器件外特性而构造（简单、用于近似分析）。
二、由伏安特性折线化得到的等效电路：（图1.2.4）
1． 理想二极管：注意符号 2． 正向导通时端电压为常量
3． 正向导通时端电压与电流成线性关系 4． 例1（图1.2.5）三种不同等效分析：（1）V远远大于UD，（2）UD变化范围很小，(3)接近实际情况。5． 例2（图1.2.6）三、二极管的微变等效电路（图1.2.7）（图1.2.8）（图1.2.9）
动态电阻的公式推倒：
1.2.5 稳压二极管
一、概念：一种由硅材料制成的面接触型晶体二极管，其可以工作在反向击穿状态，在一定电流范围内，端电压几乎不变。
二、稳压管的伏安特性：（图1.2.10）
三、稳压管的主要参数
1． 稳定电压UZ：反向击穿电压，具有分散性。2． 稳定电流IZ：稳压工作的最小电流。
3． 额定功耗PZM：稳定电压与最大稳定电流的乘积。4． 动态电阻rZ：稳压区的动态等效电阻。
5． 温度系数α：温度每变化1度，稳压值的变化量。小于4V为齐纳击穿，负温度系数；大于7V为雪崩击穿，正温度系数。
四、例（图1.2.11）
1.2.6 其他类型二极管
一、发光二极管（图1.2.12）可见光、不可见光、激光；红、绿、黄、橙等；开启电压大。
二、光电二极管（图1.2.13）远红外接受管，伏安特性（图1.2.14）光电流（光电二极管在反压下，受到光照而产生的电流）与光照度成线性关系。
三、例（图1.2.15）
1.3 双极型晶体管
双极型晶体管（BJT: Bipolar Junction Transistor）几种晶体管的常见外形（图1.3.1）
1.3.1 晶体管的结构及类型（图1.3.2）
一、构成方式：同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结。
二、结构：
1． 三个区域：基区（薄且掺杂浓度很低）、发射区（掺杂浓度很高）、集电区（结面积大）；
2． 三个电极：基极、发射极、集电极； 3． 两个PN结：集电结、发射结。
三、分类及符号：PNP、NPN 1.3.2 晶体管的电流放大作用
一、放大：把微弱信号进行能量的放大，晶体管是放大电路的核心元件，控制能量的转换，将输入的微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化量。
二、基本共射放大电路（图1.3.3）
1． 输入回路：输入信号所接入的基极－发射极回路；
2． 输出回路：放大后的输出信号所在的集电极－发射极回路； 3． 共射放大电路：发射极是两个回路的公共端； 4． 放大条件：发射结正偏且集电结反偏；
5． 放大作用：小的基极电流控制大的集电极电流。
三、晶体管内部载流子的运动（图1.3.4）分析条件uI0
1． 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE，空穴电流IEP由于基区掺杂浓度很低，可以忽略不计；IEIENIEP
2． 扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成电流IBN；
3． 集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC，其中非平衡少子的漂移形成ICN，平衡少子形成ICBO。
ICBO4． 晶体管的电流分配关系：ICICNICBO，IBIBNIEPICBOIB，IEIBIC
四、晶体管的共射电流放大系数
1． 共射直流电流放大系数：ICNICICBO IBIBICBO2． 穿透电流ICEO：ICIB(1)ICBOIBICEO
基极开路时，集电极与发射极之间的电流；
3． 集电结反向饱和电流ICBO：发射极开路时的IB电流； 4．近似公式：ICIB，IE(1)IB
5． 共射交流电流放大系数：当有输入动态信号时，ic iB6． 交直流放大系数之间的近似：若在动态信号作用时，交流放大系数基本不变，则有iCICiCIBICEOiB(IBiB)ICEO因为直流放大系数在线性区几乎不变，可以把动态部分看成是直流大小的变化，忽略穿透电流，有：，放大系数一般取几十至一百多倍的管子，太小放大能力不强，太大性能不稳定；
7． 共基直流电流放大系数：ICN，，
1IE1iC， iE8． 共基交流电流放大系数：
1.3.3 晶体管的共射特性曲线
一、输入特性曲线（图1.3.5）iBf(uBE)u的能力有关。
二、输出特性曲线（图1.3.6）iCf(uCE)IB常数CE常数，解释曲线右移原因，与集电区收集电子
（解释放大区曲线几乎平行于横轴的原因）
1． 截止区：发射结电压小于开启电压，集电结反偏，穿透电流硅1uA，锗几十uA；
2． 放大区：发射结正偏，集电结反偏，iB和iC成比例；
3． 饱和区：双结正偏，iB和iC不成比例，临界饱和或临界放大状态（uCB0）。
1.3.4 晶体管的主要参数
一、直流参数
1． 共射直流电流系数 2． 共基直流电流放大系数 3． 极间反向电流ICBO
二、交流参数 1． 共射交流电流放大系数 2． 共基交流电流放大系数
3． 特征频率fT：使下降到1的信号频率。
三、极限参数（图1.3.7）
1． 最大集电极耗散功率PCM；
2． 最大集电极电流ICM：使明显减小的集电极电流值；
3． 极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压，UCBO几十伏到上千伏、UCEO、UEBO几伏以下。
UCBOUCEXUCESUCERUCEO
1.3.5 温度对晶体管特性及参数的影响
一、温度对ICBO影响：每升高10度，电流增加一倍，硅管的ICBO要小一些。
二、温度对输入特性的影响：（图1.3.8）与二极管伏安特性相似。温度升高时，正向特性曲线向左移，反向特性曲线向下移，室温时，每升高1度，发射结正向压降减小2～2.5mV。
三、温度对输出特性的影响：（图1.3.9）温度升高变大。
四、两个例题
1.3.6 光电三极管
一、构造：（图1.3.10）
二、光电三极管的输出特性曲线与普通三极管类似（图1.3.11）
三、暗电流：ICEO无光照时的集电极电流，比光电二极管的大，且每上升25度，电流上升10倍；
四、光电流：有光照时的集电极电流。
1.4 场效应管
1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管
一、N沟道增强型MOS管（图1.4.7）
1． 结构：衬底低掺杂P，扩散高掺杂N区，金属铝作为栅极； 2． 工作原理：
(1)栅源不加电压，不会有电流；
(2)（图1.4.8）uDS0且uGS0时，栅极电流为零，形成耗尽层；加大电压，形成反型层（导电沟道）；开启电压UGS(th)；
(3)（图1.4.9）uGSUGS(th)为一定值时，加大uDS，iD线性增大；但uDS的压降均匀地降落在沟道上，使得沟道沿源－漏方向逐渐变窄；当uGD＝UGS(th)时，为预夹断；之后，uDS增大的部分几乎全部用于克服夹断区对漏极电流的阻力，此时，对应不同的uGS就有不同的iD，从而可以将iD看为电压uGSiD出现恒流。控制的电流源。
3． 特性曲线与电流方程：(1)特性曲线：（图1.4.10）转移特性、输出特性；
u(2)电流方程：iDIDOGS1
UGS(th)
二、N沟道耗尽型MOS管（图1.4.10）
1． 结构：绝缘层加入大量的正离子，直接形成反型层； 2． 符号
三、P沟道MOS管：漏源之间加负压
四、VMOS管
21.4.3 场效应管的主要参数
一、直流参数
1． 开启电压UGS(th)：是UDS一定时，使iD大于零所需的最小UGS值；
2． 夹断电压UGS(off)：是UDS一定时，使iD为规定的微小电流时的uGS；
3． 饱和漏极电流IDSS：对于耗尽型管，在UGS＝0情况下，产生预夹断时的漏极电流； 4． 直流输入电阻RGS(DC)：栅源电压与栅极电流之比，MOS管大于10。
二、交流参数
1． 低频跨导：gm9iDuGS
UDS常数2． 极间电容：栅源电容Cgs、栅漏电容Cgd、1～3pF，漏源电容Cds0.1～1pF
三、极限参数
1． 最大漏极电流IDM：管子正常工作时，漏极电流的上限值； 2． 击穿电压：漏源击穿电压U(BR)DS，栅源击穿电压U(BR)GS。3． 最大耗散功率PDM：
4． 安全注意：栅源电容很小，容易产生高压，避免栅极空悬、保证栅源之间的直流通路。
四、例
1.4.4 场效应管与晶体管的比较
一、场效应管为电压控制、输入电阻高、基本不需要输入电流，晶体管电流控制、需要信号源提供一定的电流；
二、场效应管只有多子参与导电、稳定性好，晶体管因为有少子参与导电，受温度、辐射等因素影响大；
三、场效应管噪声系数很小；
四、场效应管漏极、源极可以互换，而晶体管很少这样；
五、场效应管比晶体管种类多，灵活性高；
六、场效应管应用更多。
1.5 单结晶体管和晶闸管 1.6 集成电路中的元件
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