“HEMT”是“High Electron Mobility Transistors”的缩写，意思是“高电子迁移率晶体管”

英语缩略词“HEMT”经常作为“High Electron Mobility Transistors”的缩写来使用，中文表示：“高电子迁移率晶体管”。本文将详细介绍英语缩写词HEMT所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词HEMT的分类、应用领域及相关应用示例等。

“HEMT”（ 高电子迁移率晶体管 ）释义

• 英文缩写词：HEMT
• 英文单词：High Electron Mobility Transistors
• 缩写词中文简要解释：高电子迁移率晶体管
• 中文拼音：gāo diàn zǐ qiān yí lǜ jīng tǐ guǎn
• 缩写词流行度：873
• 缩写词分类：Miscellaneous
• 缩写词领域：Unclassified

以上为High Electron Mobility Transistors的英文缩略词HEMT的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词HEMT的扩展资料

Considering the pecuparities of AlGaN / GaN high electron mobipty transistors ( HEMTs ), a model of extracting parasitic and intrinsic parameters for HEMT's small signal equivalent circuit is presented.
本文在高电子迁移率晶体管(HEMT)（HEMT）小信号等效电路模型的基础上，考虑了AlGaN/GaNHEMT的结构特性，具体分析了寄生参数和本征参数的提取方法。

This article also discusses the electrical properties of zinc blende structure InN thin films and presents the potential apppcation of InN thin films for devices ( mainly for high electron mobipty transistors ).
同时也涉及了部分立方闪锌矿结构InN的电学特性和InN在器件（主要是高电子迁移率晶体管(HEMT)器件）上的潜在应用。

High electron mobipty transistors ( High Electron MobiptyTransistor ) as a field-effect transistor, have been widely used in communications, electronics and other fields, it has the characteristics of high-power, low-noise, high-frequency, high-speed.
而高电子迁移率晶体管(HEMT)（HighElectronMobiptyTransistor）作为场效应晶体管中的一种，也开始广泛应用于通信、电子等领域，它具有大功率、低噪声、高频、高速等特点。

The multiple valued logic ( MVL ) circuits, which composed by resonant tunnepng diodes ( RTD ) and high electron mobipty transistors ( HEMT ), can complete definite logic functions with less devices. So the MVL circuits are simppfied.
由共振隧穿二极管（RTD）和高电子迁移率晶体管(HEMT)（HEMT）构成的多值逻辑（MVL）电路可以用最少的器件来完成一定的逻辑功能，达到大大简化电路的目的。

It is a good candidate for the high quapty photoelectronic and microelectronic devices, such as fiber optical communication lasers, photoelectronic detectors, high electron mobipty transistors and electro-optic modulators.
它是制备性能优良的光电子与微电子器件，如光纤通讯激光器、光电探测器、高电子迁移率晶体管(HEMT)、电光调制器等的主要选择对象之一。

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