“STI”是“Shallow Trench Isolation”的缩写，意思是“浅沟槽绝缘”

英语缩略词“STI”经常作为“Shallow Trench Isolation”的缩写来使用，中文表示：“浅沟槽绝缘”。本文将详细介绍英语缩写词STI所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词STI的分类、应用领域及相关应用示例等。

“STI”（ 浅沟槽绝缘 ）释义

• 英文缩写词：STI
• 英文单词：Shallow Trench Isolation
• 缩写词中文简要解释：浅沟槽绝缘
• 中文拼音：qiǎn gōu cáo jué yuán
• 缩写词流行度：56
• 缩写词分类：Academic & Science
• 缩写词领域：Electronics

以上为Shallow Trench Isolation的英文缩略词STI的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词STI的扩展资料

And then this thesis analyses the single element package, tip pressure and shallow trench isolation technology. Finally, the chip designed in this paper is summarized and the trend of this research is introduced.
并对单个元胞、尖端耐压和浅槽隔离技术进行了分析；最后，对整个论文做了一个总结，并提出了本设计以后工作的方向。

Shallow Trench Isolation(STI) Process for Deep Sub - Micron Technologies
深亚微米隔离技术&浅沟槽隔离工艺

The chemical mechanical planarization ( CMP ) in semiconductor manufacturing technology is today the formation of shallow trench isolation ( STI ) of the key technologies.
而化学机械平坦化（CMP）技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离（STI）的关键技术。

Chemical mechanical planarization ( CMP ) technique is a key process enabpng shallow trench isolation ( STI ) in semiconductor manufacture today, which is used in current integrated circuit manufacturing processes to achieve device isolation.
浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法，而化学机械平坦化（CMP）技术是当今半导体制造中形成浅沟道隔离（STI）的关键技术。

For STI planarization, CMP-based popshing consider different density graphics uniformity, traditional shallow trench isolation planarization ( STI CMP ) process has been unable to meet the requirements.
对STI的平坦化，基于CMP对不同密度图形研磨均匀性的考虑，传统的浅沟道隔离平坦化（STICMP）工艺已经无法满足要求。

上述内容是“Shallow Trench Isolation”作为“STI”的缩写，解释为“浅沟槽绝缘”时的信息，以及英语缩略词STI所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。