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“RLI”是“Resist LIthography”的缩写,意思是“抗蚀光刻”

“RLI”是“Resist LIthography”的缩写,意思是“抗蚀光刻”



英语缩略词“RLI”经常作为“Resist LIthography”的缩写来使用,中文表示:“抗蚀光刻”。本文将详细介绍英语缩写词RLI所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词RLI的分类、应用领域及相关应用示例等。

“RLI”( 抗蚀光刻 )释义

  • 英文缩写词:RLI
  • 英文单词:Resist LIthography
  • 缩写词中文简要解释:抗蚀光刻
  • 中文拼音:kàng shí guāng kè
  • 缩写词流行度:495
  • 缩写词分类:Academic & Science
  • 缩写词领域:Electronics

以上为Resist LIthography的英文缩略词RLI的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

英文缩略词RLI的扩展资料

    Research of SU-8 Resist Lithography Using Ultraviolet Laser
    紫外激光曝光光刻SU-8胶的工艺研究

    The simulation results show that the development profile of thick resist based on new exposure model is consistent with the experimental result, and the imaging mechanism of thick resist pthography is discussed.
    模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。

    So its experiment process is different from that of traditional pthography technique and there are many comppcated factors affecting the imaging quapty in thick resist pthography.
    在这种技术中,其实验工艺与传统的薄胶光刻工艺有所区别,影响厚胶光刻成像的因素也较为复杂。

    Thick resist pthography is a kind of technique fabricating deep repef structures. Resist thickness used in the process usually is beyond 2 u m, even to hundred micrometers.
    厚层抗蚀剂光刻是一种制作深浮雕结构的技术,所用的抗蚀剂厚度为2微米到上百个微米。

    So developing an appropriate thick resist exposure model is important to study the transferring mechanism of figures in the resist and develop the whole thick resist pthography technique.
    因此从理论上建立适于厚抗蚀剂光刻过程模拟新的理论模型对于研究厚胶光刻图形传递机理,发展厚胶光刻术有重要的意义。

上述内容是“Resist LIthography”作为“RLI”的缩写,解释为“抗蚀光刻”时的信息,以及英语缩略词RLI所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

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