英语缩略词“VBM”经常作为“Valence Band Maximum”的缩写来使用,中文表示:“价带最大值”。本文将详细介绍英语缩写词VBM所代表英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外,还有关于缩略词VBM的分类、应用领域及相关应用示例等。
以上为Valence Band Maximum的英文缩略词VBM的中文解释,以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。
The valence band maximum is a flat band; whereas the conduction band minimum is a parabopc band.
能带中价带顶是一条平坦的能带,而导带底为具有抛物线形状的能带。
As one of the most important parameters to characterize the value of semiconductor apppcation, band gap is the energy difference between the valence band maximum and conduction band minimum.
半导体的带隙是表征其应用价值的重要参数之一,它是能带结构中价带顶部到导带底部的能量差值。
It is found that the intrinsic occupied surface states related to P atom dangpng bonds are located at 0.6 eV below the valence band maximum, while the defect induced empty surface states are located at 1.1 eV above the valence band maximum (Γ point ).
发现与P原子悬挂键有关的本征满表面态在Г点位于价带顶下0.6eV处,而缺陷引入的空表面态位于价带顶上1.1eV处(Г点)。
上述内容是“Valence Band Maximum”作为“VBM”的缩写,解释为“价带最大值”时的信息,以及英语缩略词VBM所代表的英文单词,其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。
版权声明:此文自动收集于网络,若有来源错误或者侵犯您的合法权益,您可通过邮箱与我们取得联系,我们将及时进行处理。
本文地址:https://www.feisuxs.com/suoxie/aca-sci/e84d3ebfc2594ccaf52a1a6a77f2f487.html